看到论坛里太多问开关管电压尖峰问题了，大家老是需要重复回答，而且回来的也不够详细。这里我整理了张图，对解决反激开关管的Vds电压尖峰问题有帮助。首先来看看MOS应力公式：（理想化处理，不影响结论）Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5这里两个主要参数的意义：1、Lk是变压器漏感（实际还应包含PCB寄生电感）；2、C1为RCD钳位电容（实际还应包含MOSDS两端的电容，一般远小于C1，故忽略）。其他话不多说，见下图：

同时我也写出了具体如何实现以及对可能的副作用进行确认。对于大家碰到的开关管Vds电压尖峰问题，90%以上可以采用图中的方法解决，不再为电压尖峰烦恼！如果以上还不能解决你的电压尖峰问题，请告知。（还有10%的坑等大家来挖）

not2much

C1是否应该包括变压器的匝间电容呢？

拒绝变帅

变压器的匝间电容是串联的关系，实际是pF级的，很小，所以忽略了。

要说应该，还应该包括副边折算到原边的电容呢，这个也是pF级，而C1一般都到了nF级。

分析问题，如果把全部因素都考虑进来模型就会变得很复杂，就像小信号模型，EMI模型等等，都是抓主要，舍去次要。

拒绝变帅

针对本帖做个总结：

1、本帖目的是针对反激开关管的Vds电压尖峰问题进行定性分析，从而为降低此尖峰提供指导方向，并不是要去计算它。

可能很多新人，不知道其的复杂，都希望用公式计算，这里是很难精确计算的，因为影响因素太多，要计算也需要做一些假设和处理，如本帖。

2、主题帖中的那张图，相信可以解决大部分Vds尖峰电压问题。

3、如果图中采用的方法还解决不掉，就需要更加细化，可以采用以下几个整改方向：

A、layout走线优化（功率回路尽量短，使pcb电感尽量小；同时也注意RCD的走线，这里除了会影响尖峰，也会影响传导的高频段和辐射）；

B、调整RCD中的D；（需要重新确认效率、传导、辐射）

C、调整RCD中的R；（需要重新确认效率、传导、辐射）

D、一般Rsense到ICCSpin都有个RC，调整RC时间常数；（需要重新确认过功率点）

E、调整副边二极管的吸收参数。（需要重新确认效率、传导、辐射）

主题帖的图，加上以上的方法，基本上可以解决所有电压尖峰问题。

对于反激的大部分应用，用V的MOS就够了。当然了，有特殊要求，如有较大裕量要求的，可能就要用更高耐压的MOS了，但一般对效率不利。

好了，关于MOS电压尖峰降低方法，我所认识的已全部写出，采用这些方法，目前还没发现有解不掉的尖峰。

当然了，毕竟本人应用有限，认识有限，可能还有其他方法，也欢迎广大网友补充。

小凡凡

帖子的名称应该改改

大幅度降低MOS漏感尖峰的有效方法（一般可以降低50V以上）：1、降低漏感；2、采用慢速缓冲二极管；3、在缓冲电容上串联小电阻；4、次级采用软启动电路。如果这四个方法都没降下来，那出现的问题可能就不是一般的大了，需要仔细检查漏感尖峰的宽度（时间）。

拒绝变帅

小凡兄幽默哈！其实很多时候采用以上4点真降不下来：1、4点基本没法优化了，采用慢管基本是标配设计了，第3点更多的是基于辐射的考虑。

greendot

因为顶楼的表达式，是RCD不存在时，Vds可能达到的最高电压，C应该=Coss+变压器寄生电容+副边折算过来的电容等等，该式只有这样才能成立。

RCD存在时，Vds(max)=Vin+Vclamp，Vclamp是箝位电容Cc上的电压，这时Vds(max)才跟Cc有关，Vclamp是几多？可以算出来的，保证不是顶楼的式子就是了。

拒绝变帅

大师说的在理，实际中它们之和一般不会超过pF，就像我在上文所说，这里为了定性分析RCD中的C对Vds电压的影响，做了一些理想化处理。

考虑到Coss+变压器寄生电容+副边折算过来的电容，在RCD存在时的Vds（max），大师能否帮忙给出？

greendot

Pclamp是RCD上的功耗Rc，Cc是RCD上的R和C，Vor是反射电压，ΔVclamp是Vclamp允许的纹波

荨麻草

第一个Pclamp表达式跨度有点大，补充一下（参考AN）

Pclamp=△P*fsw

=（0.5*Vclamp*Ipk*△t）*fsw（eq1）（△t为Ipk降到0的时间）

漏感两端电压差：

Vclamp-Vor=Lk*Ipk/△t（eq2）

联立eq1、eq2，消掉△t即可。

拒绝变帅

草兄，AN也传一下哈~

荨麻草

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